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  • [会议论文] 任璐 杨帆 闫楠楠 马丽丽 余颖 ,2012 - 第八届全国催化剂制备科学与技术研讨会
      作为一种传统的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,CdS具有2.4 eV的带隙、合适的导带和价带电位,是一种太阳光下分解水制氢以及降解有机污染物的有前景的材料.但是该材料也存在一些缺陷,本文从理论和实验两方面来对改善CdS存在的缺陷进行...
    半导体材料硫化镉污染物降解光催化活性稳定性
  • [会议论文] 苏付海 (Frank.)A.Hegmann 徐文 蔡伟平 ,2012 - 第10届全国光电技术学术交流会
      本文通过具有亚皮秒脉宽,峰值电场大于200kV/cm的强太赫兹脉冲,在无偏压的均匀n型掺杂Si, GaAs等半导体介质中激励出如图1所示的纳秒脉冲宽度、GHz波段的瞬态低频整流电流,该电流幅度随应用的太赫兹电场强度增大而呈现...
    太赫兹脉冲亚皮秒脉宽半导体材料光致瞬态电流效应
  • [会议论文] 刘雅轩 胡开博 ,2011 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
      本文介绍了宽禁带半导体发展总体态势的表现:制造成本不断下降、应用范围迅速扩大、研发领域继续拓展。阐述了工艺技术的发展,并分析了宽禁带半导体材料和器件发展趋势,最后探讨了其对军事的影响:1、促进有源相控阵雷达性...
    宽禁带半导体材料器件开发技术分析军事电子系统
  • [会议论文] 童叶翔 ,2009 - 2009年第十五次全国电化学学术会议
    如何在宏观尺度基体上制备大面积有序生长纳米尺度功能半导体材料,已成为国内外半导体纳米材料领域普遍关注的重大科学问题和热点研究领域.电化学方法制备纳米半导体器件的特点优势;反应条件温和 ,绿色经济,形貌可控,非...
    有序生长纳米半导体材料电化学制备电化学沉积
  • [会议论文] 邱勇 ,2008 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
    不同的成膜方式、成膜条件对有机半导体材料薄膜特性有很大的影响。比较了真空蒸镀和采用熔融猝冷制备的N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-methylphcnyl)bcnzidine(TPD)薄膜,熔融猝冷所得的TPD薄膜具有更好的热稳定性和更高的迁移...
    有机半导体材料薄膜特性真空蒸镀熔融猝冷TPD薄膜热稳定性场效应晶体管
  • [会议论文] 姚绮君 李曙新 张群 ,2010 - 2010中国平板显示学术会议
    在事温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49∶49∶2。所制备的器件场致迁移率达到9.8cm2/Vs,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值...
    薄膜晶体管氧化锌氧化铟氧化钛半导体材料场致迁移率
  • [会议论文] 赵华平 陶绪堂 ,2008 - 第二届中国科学院应用化学学术研讨会——高分子科学分会
    与传统的无机半导体材料相比,有机半导体材料具有易于加工、成本低、柔性、重量轻和便携性等优点,因此具有广阔的应用前景.目前,基于芳香胺类化合物的有机半导体材料已经被广泛研究.以吲哚[3,2-b]咔唑为母体,通过化学修饰的...
    有机半导体材料吲哚[3,2-b]咔唑性能评价结构特征
  • [会议论文] 过方舟 徐锐敏 ,2014 - 2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议
    系统级封装(System in Package,SiP)作为新一代的系统小型封装技术,是电子产品小型化和多功能化发展的一个重要方向,并将在包括军事、航天乃至生命科学在内的各领域当中都有广阔的应用前景以及发展空间.本文综述了目前国...
    半导体材料系统级封装技术互连结构一体化设计
  • [会议论文] 罗福源 ,2016 - 第十二届设计与制造前沿国际会议(ICFDM2016)
    硅、锗等半导体材料的切割是太阳能电池与集成电路芯片制造过程中极其重要的环节.电火花线切割方法可以有效克服半导体材料因为具有硬脆性而难以用常规机械方法加工的问题.但是,由于半导体材料的特殊电学特性使传统用于金...
    电火花线切割半导体材料自适应进给控制加工精度
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