首页>知识导航 > 新材料产业 > 特种金属功能材料 > 半导体材料
学科分类
全部
订阅
收起
  • [会议论文] 黄世华 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    该文介绍了稀土掺杂的硫化锌中稀土离子在硫化锌带间双光子激发下发光的一些实验结果。发光的特点是:发射光强正比于激发光强的平方;发射光子能量大于激发光子能量;发射光谱及衰减曲线与带边激发下相同;激发光谱呈宽带,没...
    硫化锌半导体物理半导体材料双光子吸收发光材料激发过程
  • [会议论文] 高季林 ,1985 - 中国物理学会现代物理实验技术会议
    半导体材料晶体缺陷半导体物理能级试验设备
  • [会议论文] 张吉英 范希武 王寿寅 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    利用深能级瞬态谱的方法可以了解半导体材料中深能级的信息,缺点是不能检测肖特基二极管中少子的陷阱能级。ODLTS法可以克服这一缺点。因此特别适用于检测不易做成P-n结的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体中的深能级。由于ZnSe晶体室温蓝...
    光谱分析电致发光半导体物理能级半导体晶体硒化锌
  • [会议论文] 董锡珉 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    用激发光谱和选择激发光致发光光谱法监测了在液氦温度下ZnSxSe1-x光致发光光谱中观察到的一些缚得激子谱线。这些谱线是由Ⅰdeep和Ⅰdeep的LO声子伴线组成的。由这些谱线的积分强度比求得了电子、声子耦合参数。(本刊录)
    谱系分析半导体晶体光致发光光谱分析激子锌化合物硫化合物硒化合物Ⅱ-Ⅵ族化合物发光材料
  • [会议论文] 沈永荣 张宏 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    HO[*+*]离子在Ⅱ—Ⅵ族半导体中的发光行为基本没有系统地研究过,另外,硫化锌是宽禁带半导体化合物,ZnS∶RE[*+*]有可能成为有效多色的发光材料。为此,该文采用了不同温度下的各个能级荧光衰减,较全面地研究了ZnS∶H[*+*]的光...
    硫化锌光谱分析谱系分析半导体晶体发光材料能量传递半导体物理
  • [会议论文] 柳兆洪 洪良基 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    研究了掺铒硫化锌薄膜中,温度对直流场致发光发射谱半宽强度、峰值位置及激发态寿命的影响,探讨了多声子过程在这种材料EL中的重要性。实验结果表明:⒈场致发光谱线强度,在80°K—250°K间,温度上升,谱线强度增加。⒉对于激发态...
    硫化锌电致发光声子发光光谱激发态谱线宽度薄膜多声子跃迁
  • [会议论文] 赵天仁 虞家琪 李文连 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    该研究利用高分辨光谱技术,对ZnS∶Sm[*+*],Ⅰ体系,通过改变不同杂质离子Ⅰ及其浓度,观察到某些杂质离子对稀土发光中心具有强烈的影响,并对它们之间的相互作用进行了讨论。研究结果,阳离子杂质Na[*+*],AI[*+]对ZnS中稀土发...
    离子光谱分析杂质(固体物理)能量传递发光中心半导体物理发光材料硫化锌
  • [会议论文] 林杏潮 张素英 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    熔体法制备碲化镉晶体与汽相法及THM方法相比,具有设备简单,生长周期短等优点,被广泛采用。几种方法相比,成晶率相近,但热壁熔体法生长碲化镉晶体表面大多数光滑,很少出现汽泡,且工艺简单、成本低,用此法已能生长φ18—16的...
    晶体生长测量方法半导体晶体锑化物晶体结构光谱萤光晶体缺陷
  • [会议论文] 张素英 林杏潮 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    采用低汽压的B—氏方法生长CdTeSe,比国外高压LEC和高压B—氏法具有工艺简单,成本低的特点,已生长了X从0.005至0.15的若干只晶体,表面光滑,全单晶的长度大于3cm,如工艺掌握恰当,成晶的几率和尺寸将大于CdTe,并对其各种参数...
    晶体生长半导体晶体测量方法晶体结构晶体缺陷光谱荧光分析硒化合物碲化物镉化合物Ⅱ-Ⅵ族化合物
  • [会议论文] 黄锡眠 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    在高纯ZnSxSe1-x单晶的自由激子光谱中首次观察到过热激子能量弛豫的振荡结构。激发光谱的结构。激子的寿命与ZnSxSe1-x三元系的组分X密切有关的X=0.125和X=0.02样品相比较,随着X的增加而延长自由激子的寿命。同时在发光谱...
    激子弛豫光谱分析声子半导体物理发光效率锌化合物硫化合物硒化合物Ⅱ-Ⅵ族化合物
回到顶部
选择了条数据