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  • [会议论文] 车振夷 李锟涛 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    P20荧光粉以(Zn、CD)S为基负,Ag为激活剂,发黄绿色光。过去用于红外变相管和微光一代夜视仪,70年代后国外仍采用改进的P20类型荧光粉作微光二代夜视仪。这要求P20荧光粉要具有更高的亮度、抗高场强、抗强光及更细的颗粒度。该...
    增强器发光材料生产工艺分辨率硫化锌硫化镉发光粉
  • [会议论文] 付绮英 李国华 吕红 ,1985 - 中国物理学会科学和工业中温度的测量及控制第二次学术会议
    报告一种新型锗电阻温度计,温度计用双掺砷镓的锗单晶制成。掺杂浓度~10[**]cm[*-3*],补偿度·9左右。材料电导从1K至500K温度都依温度单调的增加。用该材料所制温度计能用于2~300K测温。温度计的磁阻变化小,能在中强磁场上工...
    温度测量仪表半导体材料电阻温度计
  • [会议论文] 孟宪 朱宁 吴一逊 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    从铜含量变化入手,着重分析在退火速冷过程中,铜含量及状态的变化对ACEL粉末材料亮度及老化的影响,以便进一步了解老化原因。实验结果表明,ACEL粉末材料的亮度随着铜和溴含量的变化出现最佳值。铜含量低时,亮度随铜含量增...
    发光材料光谱老化亮度退火
  • [会议论文] 董锡珉 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    用激发光谱和选择激发光致发光光谱法监测了在液氦温度下ZnSxSe1-x光致发光光谱中观察到的一些缚得激子谱线。这些谱线是由Ⅰdeep和Ⅰdeep的LO声子伴线组成的。由这些谱线的积分强度比求得了电子、声子耦合参数。(本刊录)
    谱系分析半导体晶体光致发光光谱分析激子锌化合物硫化合物硒化合物Ⅱ-Ⅵ族化合物发光材料
  • [会议论文] 沈永荣 张宏 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    HO[*+*]离子在Ⅱ—Ⅵ族半导体中的发光行为基本没有系统地研究过,另外,硫化锌是宽禁带半导体化合物,ZnS∶RE[*+*]有可能成为有效多色的发光材料。为此,该文采用了不同温度下的各个能级荧光衰减,较全面地研究了ZnS∶H[*+*]的光...
    硫化锌光谱分析谱系分析半导体晶体发光材料能量传递半导体物理
  • [会议论文] 周映雪 于宝贵 关中素 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    研究了稀土离子Sm[*+*]在ZnS中的激发光谱和漫反射光谱。与其它稀土离子不同,在基质吸收带的长波方向,出现了一个附加宽带,它有可能与从Zm[*+*]到S[*+*]的电荷转移带有关。在激发光谱实验中,研究了激活剂浓度和温度对激发...
    硫化锌发光材料电致发光光谱分析化学分析计算机应用激发过程离子稀土族
  • [会议论文] 宋家齐 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    在制造ZnS∶Cu,Al荧光粉的过程中,作为激活剂元素Cu,可以采用Cu的盐类,例Cu(No[*v3*])[*v2*]等形式引入;作为共激活剂元素Al,可以采用Al的盐类,例Al(NO[*v3*])[*v3*]等形式引入。根据对硫化物荧光粉的磁化率X的研究表明:Z...
    硫化锌发光材料半导体晶体光谱激活剂晶体结构发光粉
  • [会议论文] 柳兆洪 洪良基 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    研究了掺铒硫化锌薄膜中,温度对直流场致发光发射谱半宽强度、峰值位置及激发态寿命的影响,探讨了多声子过程在这种材料EL中的重要性。实验结果表明:⒈场致发光谱线强度,在80°K—250°K间,温度上升,谱线强度增加。⒉对于激发态...
    硫化锌电致发光声子发光光谱激发态谱线宽度薄膜多声子跃迁
  • [会议论文] 钟国柱 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    从1974年日本夏浦公司推出新型结构的交流电致发光薄膜以来,发展迅速,现夏浦已能生产240×320和512×128的学符、图象显示器及电视屏,已用于美国航天飞机。芬兰用原子层外延法。获得高亮度薄膜,已用于机场起飞显示板。薄膜电致...
    硫化锌电致发光薄膜半导体材料生产工艺
  • [会议论文] 黄世华 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    该文介绍了稀土掺杂的硫化锌中稀土离子在硫化锌带间双光子激发下发光的一些实验结果。发光的特点是:发射光强正比于激发光强的平方;发射光子能量大于激发光子能量;发射光谱及衰减曲线与带边激发下相同;激发光谱呈宽带,没...
    硫化锌半导体物理半导体材料双光子吸收发光材料激发过程
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