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  • [会议论文] 黄世华 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    该文介绍了稀土掺杂的硫化锌中稀土离子在硫化锌带间双光子激发下发光的一些实验结果。发光的特点是:发射光强正比于激发光强的平方;发射光子能量大于激发光子能量;发射光谱及衰减曲线与带边激发下相同;激发光谱呈宽带,没...
    硫化锌半导体物理半导体材料双光子吸收发光材料激发过程
  • [会议论文] 钟国柱 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    从1974年日本夏浦公司推出新型结构的交流电致发光薄膜以来,发展迅速,现夏浦已能生产240×320和512×128的学符、图象显示器及电视屏,已用于美国航天飞机。芬兰用原子层外延法。获得高亮度薄膜,已用于机场起飞显示板。薄膜电致...
    硫化锌电致发光薄膜半导体材料生产工艺
  • [会议论文] 刘造起 裴必昌 房瑞玲 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    目前,人们认为晶形ZnS—Cu是最好的永久发光基质材料之一。该文主要介绍了五个方面。ZnS—Cu发光基质的制备:以荧光纯硫化锌加上0.01℅左右的铜作激活剂,经高温煅烧而成。永久发光材料的制备:主要介绍Pm[**]、H和Ra[**]三种材...
    发光材料硫化锌半导体材料激活剂发光光谱
  • [会议论文] 朱自熙 尉长江 赵煜 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    黄色ACEL材料的制备是,先制备出绿色材料,再低温扩散CdS使其形成β相结构占优势的ZnS、CdS混晶,从而获得高亮度的黄材料。实验表明,采用这种新方法,当CdS浓度达到17℅时,仍可得到较高亮度的黄色材料。基质原料是ZnS,激活剂是...
    发光材料半导体材料晶体结构结构光谱硫化锌硫化镉生产工艺
  • [会议论文] 申德振 宣丽 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    为了提高粉末直流电致发光屏的性能,并从中找出规律性的东西,该论文对复合屏的制做工艺及在直流电压激发条件下的发光特性做了初步的探索和研究,获得一些初步结果。研究是在第一电极与发光粉层之间用热蒸发法蒸上一层硫化...
    电致发光生产工艺发光效率半导体材料发光材料
  • [会议论文] 孟宪 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    高温制备(Zn,cd)S∶CuBr粉末效流电致发光材料(Acel),用特定方法在空气中或硫气中再处理,明显地改善了AcEL屏在工作中的老化现象,连续工作2600小时,亮度仍保留100Cd/m以上。(本刊录)
    电致发光半导体材料激活剂老化发光光谱退火发光材料Ⅱ-Ⅵ族化合物
  • [会议论文] 胡德良 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    主要介绍了ZnSe材料在发光学之外的其他技术部门取得的实际应用情况。ZnSe在全息摄影中的应用。该技术以前的页码编排器采用的材料是PLZT陶瓷,缺点是对比度差。采用此材料,这种页码编排器在0到20度的入射角范围内,具有高达...
    半导体材料光致发光发光材料激光器全息照相术红外光学材料集成光学光电器件硒化锌
  • [会议论文] 毛向辉 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    该文研究了Ⅱ—Ⅵ族化合物夜光瓷釉的制备及其发光特性,重点介绍了彩色夜光瓷釉。夜光釉制备的关键在于夜光粉与瓷釉组分恰当的选择与组合,以达到保持良好的发光性能及好的釉质目的。由于夜光瓷中加入的为非放射性夜光粉,不存...
    半导体材料光谱分析发光材料发光效率Ⅱ-Ⅵ族化合物夜光瓷釉
  • [会议论文] 付绮英 李国华 吕红 ,1985 - 中国物理学会科学和工业中温度的测量及控制第二次学术会议
    报告一种新型锗电阻温度计,温度计用双掺砷镓的锗单晶制成。掺杂浓度~10[**]cm[*-3*],补偿度·9左右。材料电导从1K至500K温度都依温度单调的增加。用该材料所制温度计能用于2~300K测温。温度计的磁阻变化小,能在中强磁场上工...
    温度测量仪表半导体材料电阻温度计
  • [会议论文] 蔡举新 ,1985 - 中国物理学会现代物理实验技术会议
    发光材料半导体工艺半导体材料离子注入半导体物理发光效率
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