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  • [会议论文] 高季林 ,1985 - 中国物理学会现代物理实验技术会议
    半导体材料晶体缺陷半导体物理能级试验设备
  • [会议论文] 童斐明 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    该文介绍了碲镉汞探测器的发展现状,焦平面列阵、新型光电导成像器件—扫积型探测器及其它方面的一些新进展。指出碲镉汞器件近年来主要在下面两方面取得了较大进展:⒈用于光纤通信的短波器件,工作波长为1.3微米和1.55微米的...
    红外探测器半导体晶体红外扫描系统光导探测器汞化合物碲化合物镉化合物内放大探测器焦平面陈列
  • [会议论文] 张吉英 范希武 王寿寅 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    利用深能级瞬态谱的方法可以了解半导体材料中深能级的信息,缺点是不能检测肖特基二极管中少子的陷阱能级。ODLTS法可以克服这一缺点。因此特别适用于检测不易做成P-n结的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体中的深能级。由于ZnSe晶体室温蓝...
    光谱分析电致发光半导体物理能级半导体晶体硒化锌
  • [会议论文] 俞振中 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    碲镉汞晶体材料正经历着一个迅速发展的时期。目前这种研究正从企业、国防部门向科研单位转移,正集中于研究材料的光学效应、电磁效应、光磁效应、杂质态、缺陷、晶格动力学、元激发等方面。研究单位和人员迅速增加。因此,无论从研...
    半导体晶体红外探测器晶体生长液相外延半导体物理Ⅱ-Ⅵ族化合物碲化镉碲化汞
  • [会议论文] 车振夷 李锟涛 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    P20荧光粉以(Zn、CD)S为基负,Ag为激活剂,发黄绿色光。过去用于红外变相管和微光一代夜视仪,70年代后国外仍采用改进的P20类型荧光粉作微光二代夜视仪。这要求P20荧光粉要具有更高的亮度、抗高场强、抗强光及更细的颗粒度。该...
    增强器发光材料生产工艺分辨率硫化锌硫化镉发光粉
  • [会议论文] 孟宪 朱宁 吴一逊 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    从铜含量变化入手,着重分析在退火速冷过程中,铜含量及状态的变化对ACEL粉末材料亮度及老化的影响,以便进一步了解老化原因。实验结果表明,ACEL粉末材料的亮度随着铜和溴含量的变化出现最佳值。铜含量低时,亮度随铜含量增...
    发光材料光谱老化亮度退火
  • [会议论文] 董锡珉 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    用激发光谱和选择激发光致发光光谱法监测了在液氦温度下ZnSxSe1-x光致发光光谱中观察到的一些缚得激子谱线。这些谱线是由Ⅰdeep和Ⅰdeep的LO声子伴线组成的。由这些谱线的积分强度比求得了电子、声子耦合参数。(本刊录)
    谱系分析半导体晶体光致发光光谱分析激子锌化合物硫化合物硒化合物Ⅱ-Ⅵ族化合物发光材料
  • [会议论文] 沈永荣 张宏 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    HO[*+*]离子在Ⅱ—Ⅵ族半导体中的发光行为基本没有系统地研究过,另外,硫化锌是宽禁带半导体化合物,ZnS∶RE[*+*]有可能成为有效多色的发光材料。为此,该文采用了不同温度下的各个能级荧光衰减,较全面地研究了ZnS∶H[*+*]的光...
    硫化锌光谱分析谱系分析半导体晶体发光材料能量传递半导体物理
  • [会议论文] 周映雪 于宝贵 关中素 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    研究了稀土离子Sm[*+*]在ZnS中的激发光谱和漫反射光谱。与其它稀土离子不同,在基质吸收带的长波方向,出现了一个附加宽带,它有可能与从Zm[*+*]到S[*+*]的电荷转移带有关。在激发光谱实验中,研究了激活剂浓度和温度对激发...
    硫化锌发光材料电致发光光谱分析化学分析计算机应用激发过程离子稀土族
  • [会议论文] 宋家齐 ,1985 - 全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
    在制造ZnS∶Cu,Al荧光粉的过程中,作为激活剂元素Cu,可以采用Cu的盐类,例Cu(No[*v3*])[*v2*]等形式引入;作为共激活剂元素Al,可以采用Al的盐类,例Al(NO[*v3*])[*v3*]等形式引入。根据对硫化物荧光粉的磁化率X的研究表明:Z...
    硫化锌发光材料半导体晶体光谱激活剂晶体结构发光粉
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