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  • [会议论文] 何秀坤 李光平 汝琼娜 李静 ,2000 - 中国电子学会第六届生产技术学分会学术年会
    国外在砷化镓材料、器件及材料与器件之间关系的研究方面进展很快.国内有关研究单位在这方面做了一些工作,试图找出材料参数与电路参数之间的对应关系.
    砷化镓半导体材料化合物半导体
  • [会议论文] 盛柏桢 程文芳 ,2000 - 首届全国电子元器件应用技术研讨会
    作为宽带半导体材料的SiC及其器件制造技术近年来得到迅速发展。与其它半导体材料相比,SiC独特的热特性和电特性,在功率和频率性能方面具有很高的品质因数。SiC还适应高温和辐射环境。该文主要叙述SiC材料的特性、器件制作技...
    碳化硅半导体器件宽带半导体材料
  • [会议论文] 李长荣 杜振民 卢琳 张维敬 ,2000 - 第十届全国相图学术会议
    外延生长技术是半导体材料和器件制造的重要工艺,特别是液相外延(LPE)和金属有 机物气相外延(MOVPE)技术得到了尤其广泛的应用。该文在分析LPE和MOVPE外延生长技术的 工艺特点和薄膜特性的基础上,重点从热力学相平衡的角...
    半导体材料外延生长热力学相平衡
  • [会议论文] 尤政 李颖鹏 陈非凡 于世洁 ,2000 - 第四届全国微米/纳米技术学术会议
    通过对近红外激光散射信号探测和信号分布分析,来检测半导体材料体缺陷是一种很有前途的方法.本文简要介绍了检测的基本原理和理论模型,在此基础上提出了判断缺陷尺度的判据,并通过对一组GaAs样品的实验研究,验证了其可...
    半导体体缺陷微米/纳米检测散射分布
  • [会议论文] 张砚华 范缇文 陈延杰 ,2000 - 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
    利用光致瞬态电流谱研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT<,1>、LT<,2>、LT<,3>,退火后 各峰的相对强度变化很大,特别I<,LT1>/I<,LT3>=C由退火前...
    热退火砷化镓半导体材料缺陷分子束外延
  • [会议论文] 刘超 李国辉 韩德俊 ,2000 - 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
    为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合,选用1~2MeV、1×10<'13>~5×10<'13>cm<'-2>的P<'+>离子注入到InGaAs/InGaAs分别限制多量子阱(SCH-MQW)激光器结构,在700℃下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9~8...
    量子阱混合波长蓝移半导体材料光致发光谱
  • [会议论文] 曾庆明 吕长志 刘伟吉 李献杰 ,2000 - 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
    叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺,给出其测试结果,最大跨导~157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率f<,T>和最高振荡频率f<,max>分别为12GHz和24GHz。
    宽禁带半导体半导体材料
  • [会议论文] 郑燕兰 李爱珍 ,2000 - 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
    用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中AlGaAsSb/InGaAsSb的阱宽,AlGaAsSb/InGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分,多量子阱...
    半导体材料多量子阱PL强度激光器
  • [会议论文] 王惟林 刘训春 魏珂 郭晓旭 王润梅 ,2000 - 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
    选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步。由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差,且精度难以控制,因此有必要进行干法刻蚀的研究。虽然采用反应离子刻蚀(RIE)、磁增强离子刻蚀(MERIE)可以进行选择刻蚀,但是这两种方法在挖槽时会对...
    半导体材料选择刻蚀半导体器件
  • [会议论文] 李国辉 杨茹 于民 曾一平 韩卫 ,2000 - 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
    InGaAs/InP是制作光电器件与微波器件的重要材料。离子注入InGaAs/InP做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题。采用Fe<'+>注入InGaAs/InP得到了电阻率升高的好结果。用Be<'+>注入制作了新结构HPT的基区。研制成功了在...
    半导体材料离子注入新结构HPT
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