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  • 锗为银灰色晶体,熔点为937.4℃,沸点2830℃,密度为5.35g/cm,硬度为6-6.5,是一种稀有金属,重要的半导体材料,室温下晶体锗质脆,有明显的非金属性质。锗,原子序数32.原子量为72.61。锗地壳中含量约为0.0007%,大量的锗以分散状...
    ICP-MS地质样品锗元素研究
  • [会议论文] 刘芳 刘刚 赵发展 ,2013 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
      与硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等传统半导体材料相比,碳化硅(SiC)具有禁带宽、热导率高、介电常数小、电子饱和漂移速率快、击穿临界电场高、硬度强、熔点高、化学稳定性好等诸多特性。目前,已被作为新一代半导体材料,应用于家...
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