首页>知识导航 > 新材料产业 > 特种金属功能材料 > 半导体材料
按刊分类
全部
订阅
收起
  • [期刊论文] 《物理》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2001年7期 孙殿照
    GaN基氮化物材料已成功地用于制备蓝、绿、紫外光发光器件,日光盲紫外探测器以及高温、大功率微波电子器件.由于该材料具有大的禁带宽度、高的压电和热电系数,它们还有很强的其他应用潜力,诸如做非挥发存储器以及利用压电和...
    氮化镓GaN宽禁带半导体
  • [期刊论文] 《物理》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2002年11期 阎志军 王迅
    国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到0.1μm以下,SiO2作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难.人们在寻找新的栅介质材料时,提出了一种新的结构,称为半导体上的晶态氧化物(COS).最近,COS被用作Si衬底上...
    晶态氧化物MOS晶体管硅基集成新材料
  • [期刊论文] 《物理》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2004年6期 常凯 夏建白
    稀磁半导体可能同时利用载流子的自旋和电荷自由度构造将磁、电集于一体的半导体器件.尤其是铁磁半导体材料的出现带动了半导体自旋电子学的发展.室温铁磁半导体材料的制备,半导体材料中有效的自旋注入,以及自旋在半导体...
    半导体物理自旋电子学综述稀磁半导体
  • [期刊论文] 《物理》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2005年11期 李刚
    以化合物半导体材料为发光元件的半导体固态照明正引发人类照明史上的又一次伟大革命.目前,局限半导体照明广泛应用的主要技术瓶颈有:出光效率(或外量子效率),单管最大可发光通量(或最大可工作功率),单位光通量的成本和...
    发光二极管半导体照片芯片氮化镓
  • [期刊论文] 《物理》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2000年8期 李晋闽
    作为第三代的半导体材料--SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景.文章...
    SiC材料外延生长SiC器件
  • [期刊论文] 《物理》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2012年10期
    2009年5月。为适应物理所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)发展的需要,促进基础性、战略性、前瞻性研究工作的发展,凝聚物理所清洁能源获取、存储和高效利用方面的研究力量,更好地服务于国民经济发展与国防建设,中国科学院物理...
    中国科学院物理研究所国家重点实验室新能源材料器件结构清洁能源北京市中科院化合物半导体材料
  • [期刊论文] 《物理》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2014年12期
    中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了...
  • [期刊论文] 《物理》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2021年6期 苑帅 沈万姗 廖良生
    金属卤化物钙钛矿半导体既在光伏器件研究中获得巨大进展,又在发光应用中体现出明显优势.金属卤化物钙钛矿半导体的荧光转化效率高、发光峰形窄、发射光谱可调控并可覆盖整个可见光范围,从而使得该类材料所制备的发光二极...
    发光二极管;金属卤化物钙钛矿;电致发光;辐射复合;半导体材料
  • [期刊论文] 《物理》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2014年9期
    中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了...
  • [期刊论文] 《物理》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2014年5期
    中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了...
回到顶部
选择了条数据