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  • [发明专利]CN201880063155.6 _ 英特尔公司 2018年01月12日
    公开了用于在源极区和漏极区之间包括第一半导体材料和第二半导体材料的晶体管的方法、装置、系统和制造品。示例性装置包括晶体管,该晶体管包括:包括镓和氮的第一半导体材料和包括镓和氧的第二半导体材料,其中,第二半导体材料与第一半导体材料相邻。所公开的示例性装置还包括靠...
  • [发明专利]CN202010058946.9 _ 美光科技公司 2015年01月06日
    本申请涉及晶体管。一些实施例包含在第一半导体材料上具有第二半导体材料的构造。归因于所述第一及第二半导体材料的不同晶格特性,所述第二半导体材料接近所述第一半导体材料的区域具有应变。晶体管栅极向下延伸到所述第二半导体材料中。栅极电介质材料是沿着所述晶体管栅极的...
  • [发明专利]CN201710429715.2 _ 广东合微集成电路技术有限公司 2017年06月08日
    本发明涉及适合表面贴装工艺的压阻式复合传感器及其制造方法。包括平面集成或垂直集成结构;使用的晶圆结构包括衬底层、顶层、晶圆内的绝缘层及在衬底内与晶圆内的绝缘层界面位置设有空腔;顶层和衬底层为反相掺杂;衬底层上设有电隔离沟槽;被电隔离沟槽包围的衬底层上形成有金...
  • [发明专利]CN201910159651.8 _ 豪威科技股份有限公司 2019年03月04日
    本申请涉及一种具有用于高动态范围成像的嵌入式分裂像素的像素阵列。一种像素单元包含第二光电二极管,所述第二光电二极管在半导体材料中横向环绕第一光电二极管。所述第一光电二极管及所述第二光电二极管适于响应于入射光而光生图像电荷。浮动扩散部安置在所述半导体材料中,...
  • [发明专利]CN202110574826.9 _ 晶芯成(北京)科技有限公司 2021年05月26日
    本发明提供了一种3D半导体器件及其形成方法,应用于半导体技术领域。在本发明提供了的一种3D半导体器件的形成方法中,其通过相邻两个MOS器件共用栅极,以及MOS器件的栅极和漏极/源极均设置在半导体衬底表面上,且栅极和漏极/源极是水平连接的,从而可以通过在垂直方向上增加MOS...
  • [发明专利]CN201780094231.5 _ 英特尔公司 2017年08月24日
    堆叠finFET结构包括鳍,该鳍至少具有半导体材料的第二层之上或之下堆叠的半导体材料的第一层。第一和第二层例如可包括IV族半导体材料层和III‑V族半导体材料层。堆叠finFET可包括P型finFET之上或之下堆叠的N型finFET,两个finFET可具有不同半导体材料层内的沟道部分。半导体材料...
  • [发明专利]CN201910777924.5 _ 豪威科技股份有限公司 2019年08月22日
    本申请涉及用于全局快门像素存储节点的可变偏置隔离结构。一种像素单元包含安置于半导体材料中以响应于入射光而累积图像电荷的光电二极管,以及耦合到所述光电二极管以从所述光电二极管选择性地耗尽所述图像电荷的全局快门栅极晶体管。存储晶体管安置于所述半导体材料中以存...
  • [发明专利]CN201780095393.0 _ 英特尔公司 2017年12月27日
    公开了具有掩埋栅的场效应晶体管及其制造方法。示例性装置包括源极,漏极以及被设置于源极和漏极之间的半导体材料。示例性装置还包括与半导体材料相邻设置的第一栅极。示例性装置还包括与半导体材料相邻设置的第二栅极。半导体材料的一部分被设置于第一栅极和第二栅极之间。
  • [发明专利]CN201780080604.3 _ 迈尔博尔格(德国)有限公司 2017年11月09日
    本发明涉及一种单面或双面结晶太阳能电池,在其正面第一表面钝化层全表面地直接设置在半导体界面上并且在其上方在第一横向区域中设置第一光学非透明导电材料作为正面触点并且仅在第二横向区域中设置第一光学透明导电材料。第一光学透明导电材料在此与正面触点并且与半导体材...
  • [发明专利]CN202110581441.5 _ 武汉大学深圳研究院 2021年05月27日
    本发明公开了一种新型硼磷共掺P型金刚石半导体材料及其制备方法。该种材料是硼、磷原子替代金刚石结构中碳原子而形成的一种硼‑硼‑磷掺杂结构的新型硼磷共掺P型金刚石半导体材料。其是在利用MPCVD设备制备人造金刚石的过程中,引入硼磷掺杂剂、氢气与甲烷等气体进入MPCVD腔室,同...
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