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    GB/T 1550-1997 - 中外标准 - - 1997/6 - 作废
    本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。  本标准适用于非本征半导体材料导电类型的测定,其中较详细地规定了锗和硅导电类型的测试方法。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得的可靠结果,对于非均匀试样,可在其表面上测出不同导电类型区域。  本标准方法不适用于分层结构试样,如外延片的导电类型的测定。  本标准包括四种测试方法。  方法A——热探针,热电势导电类型测试方法。  方法B——冷探针,热电势导电类型测试方法。  方法C——点接触,整流导电类型测试方法。  方法D——全类型系统测试方法。  方法D(1)——整流导电类型测试方法。  方法D(2)——热电势导电类型测试方法。  方法A,对室温电阻率1000Ω·cm以下的n型和p型硅,可给出可靠的测试结果。  方法B,对室温电阻率20Ω·cm以下的n型和p型锗,室温电阻率1000Ω·cm以下的n型和p型硅,可给出可靠的测试结果。  方法C,对室温电阻率1~1000Ω·cm之间的n型和p型硅,可给出可靠的测试结果。而对于锗材料,此方法不宜采用。  方法D(1),适用于室温下电阻率0.1~1000Ω·cm的n型和p型硅材料。  方法D(2),适用于室温电阻率0.002~0.1Ω·cm的n型和p型硅材料。  这些方法也可用于测定电阻率超过上述范围的锗和硅材料,但对超出诸范围的适用性未经实验验证。  如果用这些方法不能得到满意的结果,建议采用GB 4326中阐述的“霍耳效应测试方法”来测定试样的导电类型。
    晶体半导体材料电导测量法semiconductor materialssiliconeconductimetric methodscrystalssinglesilicon
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