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    YS/T 43-2011 - 中外标准 - - 2011/12 - 现行
    本标准规定了高纯砷的分类和标记、要求、试验方法、检验规则、产品标识、包装、运输、贮存等。本标准适用于以工业砷为原料,经升华、氯化、精馏、氢还原等加工提纯后制成的纯度不小于99.999%、99.9999%、99.99999%的高纯砷。产品主要用于制造砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、外
    有色金属半导体材料冶金高纯砷砷化合物
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    YS/T 34.2-2011 - 中外标准 - - 2011/12 - 现行
    本标准规定了高纯砷中硒含量的测定方法。本标准适用于砷(99.999%)中硒含量的测定。测定范围: 0.00005%~0.00015%。
    高纯砷化学分析极谱法硒量
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    YS/T 34.1-2011 - 中外标准 - - 2011/12 - 现行
    本标准规定了高纯砷中金属杂质含量的测定方法,采用电感耦合等离子质谱法测定砷中镁、铬、镍、铜、锌、银、锑、铅、铋、钠、钾、铝、钙、铁等14个杂质含量。本标准适用于99.999%~99.99999%高纯砷中金属杂质含量的测定。测定范围1×10-7% ~1000×10-7% 。
    高纯砷化学分析电感耦合等离子体质谱法杂质含量
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    YS/T 34.3-2011 - 中外标准 - - 2011/12 - 现行
    本标准规定了高纯砷中硫含量的测定方法。本标准适用于砷(99.999%)中硫含量的测定。测定范围: 0.00003%~0.00015%。
    高纯砷化学分析极谱法硫量
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    YS/T 36.2-2011 - 中外标准 - - 2011/12 - 现行
    本标准规定了高纯锡中锑含量的测定方法。本标准适用于高纯锡中锑含量的测定。测定范围:0.00003%~0.00015%。
    高纯锡化学分析锑量测定孔雀绿分光光度法
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    GB/T 26032-2010 - 中外标准 - - 2011/1 - 现行
    本标准规定了镍蒸发料的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮运及质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于半导体行业用的各类镍蒸发料。其他用途的镍蒸发料也可参照使用。
    金属检验包装运输贮存质量管理电子材料半导体材料METALSMETALNICKELCHECKSINSPECTIONEXAMINATIONSPACKAGINGPACKAGINGSPACKINGMAKE-UPSTRANSPORTTRANSPORTATIONSTORINGQUALITY MANAGEMENTELECTRONIC MATERIALSSEMICONDUCTOR MATERIALS
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    GB/T 26067-2010 - 中外标准 - - 2011/1 - 现行
    本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。 本标准中物体平面尺寸为 0 . 1 mm 时,通过 20 倍的放大后会在投影屏上形成 2 . 0 mm 的影像,通过 50 倍放大后会产生 5 . 0 mm 的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。 本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。
    晶体晶体(电子)硅片切口尺寸SILICONSILICONECRYSTALSCRYSTALS (ELECTRONIC)SILICON SLICESDIMENSIONALDIMENSIONSSIZESIZE CONTENTSIZES
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    GB/T 26074-2010 - 中外标准 - - 2011/1 - 现行
    本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的 4 倍锗单晶的电阻率以及测量直径大于探针间距的 10 倍、厚度小于探针间距 4 倍锗单晶圆片(简称圆片)的电阻率。
    单晶探针半导体材料电阻率SINGLE CRYSTALPROBESSEMICONDUCTOR MATERIALSGERMANIUMELECTRICAL RESISTIVITYRESISTIVITY
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    GB/T 26068-2010 - 中外标准 - - 2011/1 - 作废
    本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的 n 型或 p 型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下,本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。
    晶体晶体(电子)硅片寿命反射衰减光电导性SILICONSILICONECRYSTALSCRYSTALS (ELECTRONIC)SILICON SLICESLIFE(DURABILITY)LIFE (DURABILITY)LIFE:DURABILITYLIFE DURABILITYREFLEXIONSREFLECTIONATTENUATIONATTENUATIONSATTENUATORSDECAYINGFADINGPHOTOCONDUCTIVITY
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    GB/T 26069-2010 - 中外标准 - - 2011/1 - 现行
    本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。本标准适用于线宽 180 nm 、 130 nm 和 90 nm 工艺退火硅片。
    晶体晶体(电子)硅片半导体器件集成电路SILICONSILICONECRYSTALSCRYSTALS (ELECTRONIC)SILICON SLICES
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