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    GB/T 12963-2014 - 中外标准 - - 2014/12 - 现行
    本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单 (或合同)内容。 本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。
    金属晶体晶体系统半导体METALSMETALSILICONSILICONECRYSTALSCRYSTAL SYSTEMSSEMICONDUCTORS
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    GB/T 30869-2014 - 中外标准 - - 2014/7 - 现行
    本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)厚度及总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。
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    GB/T 13389-2014 - 中外标准 - - 2014/12 - 现行
    本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
    掺杂剂电阻率变换规则晶体DOPING AGENTSELECTRICAL RESISTIVITYRESISTIVITYCONVERSIONTRANSFORMATIONPHOSPHORUSSILICONSILICONERULES(INSTRUCTIONS)REGULATIONSRULESRULES (INSTRUCTIONS)RULES:INSTRUCTIONSBORONCRYSTALS
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    YS/T 980-2014 - 中外标准 - - 2014/10 - 现行
    本标准规定了高纯三氧化二镓中杂质元素含量的测定方法。 本标准适用于髙纯三氧化二镓中钠、镁、钙、钛、钒、铬、锰、铁、镍、钴、铜、锌、锡、铅、铟含量的测定。 各元素测定范围为(1×10-6)%〜(4×10-5)%。
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    YS/T 986-2014 - 中外标准 - - 2014/10 - 现行
    本标准规定了硅片或其他半导体晶片上一串连续的包括字母和数字的标记。该编号标记及关联信息被储存入数据库,对每个硅片起到了在硅片和器件制造期间追溯和控制的目的。 本标准定义了晶片标记的基本编码规定。无需处理晶片,利用简单的自动光学字符识别设备就可 以对该标记进行独立和快速人工识别,确保了硅片制造商对晶片标记的一致性,有利于监控晶片工艺的变化。 本标准适用于广泛的晶片产品,如外延片、SOI片、抛光片等。
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    GB/T 30859-2014 - 中外标准 - - 2014/7 - 现行
    本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)翘曲度和波纹度的测试方法。 本标准适用于硅片翘曲度和波纹度的测试。
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    GB/T 30860-2014 - 中外标准 - - 2014/7 - 现行
    本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮廓测试方法。 本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品,则需相关各方协商同意。
  • BS PD CEN/TS 16599-2014 - 中外标准 - - 2014/4 - 现行
    Composite materialsTesting conditionsTest equipmentLighting systemsRadiometersRadiometry
  • HG/T 4698-2014 - 中外标准 - - 2014/12 - 现行
    本标准规定了工业亚硒酸锌的要求、试验方法、检验规则、标志、标签、包装、运输和贮存。本标准适用于氧化锌或碳酸锌与亚硒酸反应生成的工业亚硒酸锌。该产品在工业生产中主要用于玻璃脱色、功能玻璃、光导材料、光敏半导体材料、釉彩配制等。
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