}
首页>知识导航 >新材料产业 >特种金属功能材料 >半导体材料
全部
订阅
收起
  • GB/T 14844-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
    本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。 本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示,其他半导体材料牌号表示可参照执行。
  • YS/T 679-2018 - 中外标准 - - 2018/10 - 现行
    本标准规定了非本征半导体材料中少数载流子扩散长度的测试方法,包含稳态光电压法、恒定光通量法和数字示波器记录法。本标准适用于非本征半导体材料,如硅单晶片或相同导电类型重掺衬底上沉积的、已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测试,测试样品(外延层)的厚度大于扩散长度的4倍。本标准可测试样品的电阻率和载流子寿命的极限尚未确定,但已对电阻率0.1Ω·cm~50Ω·cm、载流子寿命短至2ns的P型和N型硅样品进行了测试。本标准还可通过测试扩散长度后计算出硅中的铁含量。本标准也可用于测试其他半导体材料,如砷化镓样品(需同时调整相应的光照波长(能量)范围和样品制备工艺)等的有效扩散长度,评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品中的有效扩散长度,还可用于测试硅片洁净区宽度,以及太阳能电池和其他光学器件的有效扩散长度。
  • GB/T 19921-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
  • GB/T 26068-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
    本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。
  • GB/T 1550-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 36646-2018 - 中外标准 - - 2018/9 - 现行
    本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于制备直径50.8 mm~152.4 mm氮化物半导体材料的HVPE设备。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 1557-2018 - 中外标准 - - 2018/9 - 现行
    本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 12965-2018 - 中外标准 - - 2018/9 - 现行
    本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法(包括中子擅变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的圆形硅单晶切割片和研磨片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等,或进一步加工成抛光片。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 12964-2018 - 中外标准 - - 2018/9 - 现行
    本标准规定了硅单晶拋光片(简称硅抛光片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的硅单晶拋光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等,或作为硅外延片的衬底。
  • GB/T 37211.1-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
    GB/T 37211的本部分规定了还原锗锭、还原锗粉、区熔锗锭及其废料、锗单晶及其废料等锗金属中杂质元素砷含量的测定方法。本部分适用于锗金属中杂质元素砷含量的测定。测定范围:0.1×10<sup>-4</sup>%~1.0×10<sup>-4</sup>%。
回到顶部
选择了条数据