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    GB/T 4060-2018 - 中外标准 - - 2018/9 - 现行
    本标准规定了多晶硅中基硼含量的测试方法。
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    GB/T 25076-2018 - 中外标准 - - 2018/9 - 现行
    本标准规定了太阳能电池用硅单晶(简称硅单晶)的牌号、分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于直拉掺杂制备的圆形硅单晶经加工制成的准方形或方形硅单晶。产品经切割成硅片后进一步制作太阳能电池。
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    GB/T 35309-2017 - 中外标准 - - 2017/12 - 现行
    本标准规定了用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的代位碳原子浓度、施主杂质浓度和受主杂质浓度的方法。本标准适用于尺寸为600μm~3 000μm的颗粒状多晶硅,其他尺寸的颗粒状多晶硅可参照本标准执行。
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    GB/T 34479-2017 - 中外标准 - - 2017/10 - 现行
    本标准规定了硅片或其他半导体晶片上字母数字标志的编码规范,包括标志的形状和尺寸、字母数字代码的定义、要求和字母数字错码检验方法等。 本标准适用于在硅片及其他晶片正面或背面的编码标志。 注:字母数字标志及关联信息存人数据库,可被简单的自动光学字符读数(OCR)仪或人工进行独立、快速识别,确保晶片制造商对晶片标记的一致性。
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    GB/T 11069-2017 - 中外标准 - - 2017/10 - 现行
    本标准规定了高纯二氧化锗的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书等。 本标准适用于以高纯四氯化锗为原料,经水解、洗涤和烘干制得的高纯二氧化锗,主要用于制作还原锗锭、有机锗、催化剂、锗烷、锗酸铋(BGO)等锗产品。
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    GB/T 14142-2017 - 中外标准 - - 2017/9 - 现行
    本标准规定了用化学腐蚀显示,并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。
  • YS/T 1192-2017 - 中外标准 - - 2017/7 - 现行
    本标准规定了超高纯碲的技术要求,试验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存、质量证明书和合同(或订货单)内容等。本标准适用于以99.99%碲为原料,经过真空蒸馏等工艺制备的碲纯度不低于99.99999%的超高纯碲,主要用于红外探测器、红外激光器、碲化物光纤、γ射线探测器、欧姆接触器、半导体致冷元件、复印机感光元件等的制造。
  • YS/T 602-2017 - 中外标准 - - 2017/7 - 现行
    本标准规定了区熔锗锭电阻率的测试方法。本标准适用于直流两探针法测试区熔锗锭的电阻率,电阻率测试范围为1.0 Ω·cm~100 Ω·cm。
  • YS/T 1190-2017 - 中外标准 - - 2017/7 - 现行
    本标准规定了超高纯镉的技术要求、试验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存、质量证明书和合同(或订货单)内容等。本标准适用于以99.99%镉为原料,经过真空蒸馏等工艺制备的镉纯度不低于99.99999%的超高纯镉,主要用于碲锌镉、碲镉汞的制备。
  • YS/T 1191-2017 - 中外标准 - - 2017/7 - 现行
    本标准规定了超高纯锑的要求、实验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及合同(或订货单)内容。本标准适用于以工业锑为原料,经氯化、精馏、还原等工艺制得的锑含量不低于99.99999%的超高纯锑。产品主要用于锑化镓、锑化铟等化合物半导体的制备。
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