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  • T/SDAS 4-2016 - 中外标准 - - 2016/10 - 现行
    本标准规定了高纯金杂质元素的测定方法,测定元素见表1。 本标准适用于高纯金中杂质元素含量的测定,各元素质量分数测定范围为0.1 μg/kg~20000 μg/kg。
  • 42. 高纯砷

    服务由 质检出版社 提供

    YS/T 43-2011 - 中外标准 - - 2011/12 - 现行
    本标准规定了高纯砷的分类和标记、要求、试验方法、检验规则、产品标识、包装、运输、贮存等。本标准适用于以工业砷为原料,经升华、氯化、精馏、氢还原等加工提纯后制成的纯度不小于99.999%、99.9999%、99.99999%的高纯砷。产品主要用于制造砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、外
    有色金属半导体材料冶金高纯砷砷化合物
  • SJ/T 11632-2016 - 中外标准 - - 2016/4 - 现行
    本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)微裂纹缺陷的测试方法。 本标准适用于太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试,也可适用于硅片裂纹、杂质和孔洞缺陷的测试。在采用本标准提供的测试方法测试其他类型的样品之前,需由供需双方协商。
  • SJ/T 11627-2016 - 中外标准 - - 2016/4 - 现行
    本标准规定了太阳能电池用硅片电阻率在线测试的方法。 本标准适用于测试边长大于25mm、厚度为0.1mm-0.5 mm的太阳能电池用硅片(简称硅片)的电阻率。测试范围为1.0×10<sup>-3</sup>Ω·cm-2×10<sup>2</sup>Ω·cm。
  • 服务由 质检出版社 提供

    YS/T 24-2016 - 中外标准 - - 2016/4 - 现行
    本标准规定了外延钉缺陷的检验方法。本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于4μm的钉缺陷。如果钉缺陷比较少且彼此不相连,本标准可用于钉缺陷的计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。
  • 服务由 质检出版社 提供

    YS/T 23-2016 - 中外标准 - - 2016/4 - 现行
    本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。本标准适用于在<111>、<100>和<110>晶向的硅单晶衬底上生长的2μm~120μm硅外延层厚度的测量。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 14264-2009 - 中外标准 - - 2009/10 - 现行
    本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。本标准适用于元素和化合物半导体材料
    半导体术语半导体器件SEMICONDUCTORSNOMENCLATURETERMINOLOGYTERMINOLOGICALTERMSCLUTCHES--TERMINOLOGYSEMICONDUCTOR DEVICES
  • 48. 硅单晶

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    GB/T 12962-2015 - 中外标准 - - 2015/12 - 现行
    本标淮规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的桂单晶。产品主要用于制作半导体元器件。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 19199-2015 - 中外标准 - - 2015/12 - 现行
    本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 17170-2015 - 中外标准 - - 2015/12 - 现行
    本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。
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