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专利
  • [发明专利]CN202010373329.8 _ 眉山博雅新材料有限公司 2020年05月06日
    本申请提供一种晶体制备装置。所述晶体制备装置包括:生长腔体,用于放置籽晶和源材料;加热组件,用于加热所述生长腔体;温度补偿组件,用于在晶体生长过程中提供温度补偿,其中,所述温度补偿组件位于所述生长腔体上表面或下表面,所述温度补偿组件包括至少一个加热单元。
  • [发明专利]CN202010341504.5 _ 泰州市金鹰精密铸造有限公司 2020年04月27日
    本发明属于金属材料应用技术领域,具体公开了高硅轻质化过共晶铝硅合金产品铸造的尺寸控制方法,包括以下步骤,步骤1、确定所铸造的产品。步骤2、在模型建立之后。步骤3、在完成预处理参数的设置之后,选择视图模块对仿真结果进行观察,确定蜡模材质。步骤4、利用通过3D打印机打印晶粒...
  • [发明专利]CN202010339063.5 _ 江西新正耀光学研究院有限公司 2020年04月26日
    本发明公开了一种用于紫外LED的AlN缓冲层结构及其制作方法,所述制作方法包括:在衬底上生长形成第一AlN缓冲层;在第一AlN缓冲层上生长形成由多个不同温度生长的AlN子层层叠而成的第二AlN缓冲层;第二AlN缓冲层的生长温度大于第一AlN缓冲层的生长温度,且从靠近第一AlN缓冲层到...
  • [发明专利]CN202010321799.X _ 中国工程物理研究院总体工程研究所 2020年04月22日
    本发明公开了一种基于HVPE工艺的GaN晶体转运托盘装置及转运方法及转运方法,装置包括托盘、相变材料;托盘形成为中空结构;GaN晶体转运托盘装置中托盘采用了石墨材料制成,托盘内填充相变材料,托盘可以循环重复使用,利用GaN晶体生长环境吸热,在出炉区放热,充分利用了现有设备的...
  • [发明专利]CN202010318599.9 _ 中国工程物理研究院材料研究所 2020年04月21日
    本发明提供了一种六角相三氧化二铈单晶薄膜的制备方法,包括以下步骤:提供反应腔室,所述反应腔室中包括样品台;将铈块装入蒸发源;将所述反应腔室抽真空;加热所述蒸发源;提供钨单晶衬底,对所述钨单晶衬底进行处理以获得原子级平整的表面;将处理后的所述钨单晶衬底放置在所述...
  • [发明专利]CN202010315942.4 _ 江苏金瑞机械制造有限公司 2020年04月21日
    本发明属于单晶叶片检测应用技术领域,具体公开了利用二维选晶法制备单晶叶片在001取向优化的检测方法,步骤1、依据二维选晶器的001方向的截面的外观方向建立空间直角坐标系;步骤2、利用一次枝晶在两个侧面的投影和单晶生长方向的夹角α和β,计算出一次枝晶的方向向量;步骤3、利...
  • [发明专利]CN202010306276.8 _ 中国电子科技南湖研究院 2020年04月17日
    一种制备大尺寸单晶的方法,属于半导体材料制备领域,具体涉及将多块小尺寸单晶通过固态连接方式制备成大尺寸单晶的方法。包括以下步骤:材料选取:选取物理特性整体相近且拼接面晶向精度基本一致的半导体单晶块;拼接面加工:对半导体单晶块的拼接面进行经过定向、抛光、酸洗处理...
  • [发明专利]CN202010312289.6 _ 河南黄河旋风股份有限公司 2020年04月20日
    本发明涉及一种异形表面形貌金刚石单晶及其制造方法,属于人造金刚石单晶合成领域,包括如下重量份数的原料制成:石墨粉40‑50份、镍粉15份、铁粉28份、金刚石母粉0.2份、钴粉1‑5份﹑铜粉0.3份﹑铝粉0.2份﹑稀土0.5份、氮化钠0.5份、硫粉0.5份,通过金刚石单晶的异形表面形貌与金属镀层...
  • [发明专利]CN202010312132.3 _ 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 2020年04月20日
    本发明涉及一种氮化铝晶体生长所用的大尺寸复合籽晶及其制备方法,属于复合籽晶及其制备方法领域。为解决现有技术生长大尺寸氮化铝籽晶困难及现有生长氮化铝晶体条件苛刻的问题,本发明提供了一种氮化铝晶体生长所用的大尺寸复合籽晶及其制备方法。大尺寸复合籽晶通过在单晶硅...
  • [发明专利]CN202010289411.2 _ 四川省久宝晶体科技有限公司 2020年04月14日
    本发明公开一种立方锆蓝宝石生长晶体炉及合成立方锆蓝宝石的方法。该晶体炉包括炉体,所述炉体外敷设有用于加热的感应铜管,所述炉体的长度与宽度之比大于1。利用高频电流感应频率特性,在不影响中心晶体熔化的前提下炉体的长度,提高炉体容积,从而增加产量。
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