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专利
  • [发明专利]CN201921023472.3 _ 深圳市刷新智能电子有限公司 2019年07月01日
    本实用新型提供了一种胶囊型生化参数采集装置,包括PCB固定板、电池和PCB板,PCB固定板设置有第一电池槽口,PCB板上设置有第二电池槽口和负极弹簧针,负极弹簧针焊接在PCB板上,第二电池槽口的边缘设置有正极连接盘;第一电池槽口和第二电池槽口在竖直方向上重合设置,电池的下部...
  • [发明专利]CN202080000434.5 _ 长江存储科技有限责任公司 2020年02月20日
    提供了一种半导体器件。半导体器件包括具有形成于其中的阵列晶体管的第一晶圆,和具有形成于其中的电容器结构的第二晶圆。半导体器件还包括形成于第一晶圆和第二晶圆之间的、包括多个键合结构的键合界面。键合结构被配置为将阵列晶体管耦合至电容器结构,以形成存储单元。
  • [发明专利]CN202080000437.9 _ 长江存储科技有限责任公司 2020年02月17日
    公开了用于在3D存储器件中形成沟道结构的方法。在一个示例中,随后沿着沟道孔的侧壁和底部形成存储膜和牺牲层。形成沿着沟道孔的侧壁覆盖牺牲层的一部分的保护结构。选择性地去除牺牲层中的在沟道孔的底部的未被保护结构覆盖的部分。选择性地去除存储膜中的在沟道孔的底部的未...
  • [发明专利]CN202020770627.6 _ 深圳市首航新能源有限公司 2020年05月12日
    本实用新型实施例涉及电池技术领域,特别是涉及一种电池包以及电池箱,电池包包括:至少一个电芯;壳体,设置有收容腔和与所述收容腔连通的第一通孔,所述至少一个电芯收容于所述收容腔,并且所述至少一个电芯依次串联;接线端子,设置于所述第一通孔,所述接线端子的一端与所述电芯...
  • [发明专利]CN202080000382.1 _ 长江存储科技有限责任公司 2020年02月17日
    一种混合晶圆键合方法,包括:提供第一半导体结构以及提供第二半导体结构。第一半导体结构包括:第一衬底、第一电介质和第一通孔结构。第一通孔结构包括:第一接触通孔和在第一接触通孔中掺杂的第一金属杂质。第二半导体结构包括:第二衬底、第二电介质层和第二通孔结构。第二通孔结...
  • [发明专利]CN202080000376.6 _ 长江存储科技有限责任公司 2020年02月17日
    公开了用于形成存储器件的阶梯结构的结构和方法的实施例。在示例中,一种存储器件包括存储阵列结构和阶梯结构。所述阶梯结构包括多个梯级,每个梯级具有沿第一方向处于不同深度的第一数量的分区。所述多个梯级沿垂直于第一方向的第二方向延伸。相应梯级的第一数量的分区中的每个...
  • [发明专利]CN202020770319.3 _ 成都飞亚航空设备应用研究所有限公司 2020年05月12日
    本实用新型公开了一种新型的雷达操纵开关,包括安装法兰、外壳体和操纵杆,所述安装法兰设置在外壳体顶部,外壳体内部设置有拨杆球,所述操纵杆中部与安装法兰铰接,操纵杆底端与拨杆球连接,新型的雷达操纵杆把原来的弹性片改为顶杆、复位弹簧、开关顶球和档位凸点的形式,使其具有...
  • [发明专利]CN202020829935.1 _ 深圳市诚捷智能装备股份有限公司 2020年05月19日
    本实用新型公开了一种具有压力反馈机构的焊接装置,包括焊接机构、动力机构和压力反馈机构;动力机构与焊接机构连接并驱动焊接机构运动,压力反馈机构与焊接机构连接,用于采集焊接压力;压力反馈机构还与动力机构连接,用于调节焊接压力。通过在焊接机构与动力机构之间设置压力反...
  • [发明专利]CN202080000292.2 _ 长江存储科技有限责任公司 2020年02月06日
    在包括堆叠在第二沟道上的第一沟道的沟道堆叠存储器件中,按照从底部到顶部的方向对第一沟道进行编程并且按照从顶部到底部的方向对第二沟道进行编程。第一沟道中的电子可以由位线汲取,而第二沟道中的电子则可以由阱区汲取。
  • [发明专利]CN202080000251.3 _ 长江存储科技有限责任公司 2020年02月10日
    公开了用于测试金属污染的装置和方法的实施例。在示例中,一种用于测试金属污染的装置包括:腔室,测试对象放置在该腔室中;气体供应部,其被配置为将氮气供应到所述腔室中;压力控制器,其被配置为在所述腔室中施加至少约1托的压力;以及测量单元,其被配置为从测试对象测量金属的...
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