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  • T/ZSA 72-2019 - 中外标准 - - 2019/12 - 现行
    本标准规定了4H及6H碳化硅单晶必要的相关术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶。
  • T/ZZB 1389-2019 - 中外标准 - - 2019/11 - 现行
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    GB/T 29054-2019 - 中外标准 - - 2019/6 - 现行
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    GB/T 14139-2019 - 中外标准 - - 2019/6 - 现行
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    GB/T 29055-2019 - 中外标准 - - 2019/6 - 现行
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    GB/T 5238-2019 - 中外标准 - - 2019/6 - 现行
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    GB/T 16595-2019 - 中外标准 - - 2019/3 - 现行
    本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。 本标准适用于标称直径100mm~200mm的硅片,也适用于其他半导体材料晶片。
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    GB/T 16596-2019 - 中外标准 - - 2019/3 - 现行
    本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立。该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。
  • GB/T 37053-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
    本标准规定了氮化镓外延片(以下简称外延片)及氮化镓衬底片(以下简称衬底片)的通用规范,包括产品分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等。本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片。产品主要用于发光二极管、激光二极管、探测器等光电器件,以及微波与电力电子功率器件。
  • GB/T 8756-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
    本标准规定了锗多晶、锗单晶制备私机械加_卫过程,卜产生的缺陷,给出’r各类缺陷的特征、产生原因及消除方法。本标准适用于区熔锗锭、锗单品、锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷。
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