一种碳化硅发热元件发热部的制备工艺

本发明涉及一种碳化硅发热元件发热部陶瓷材料的制备工艺,包括传统工艺步骤,特征是:碳化硅、石油焦、石墨、活性炭、硅粉的质量分数分别为0.3~0.9、0.05~0.5、0~0.2、0~0.1、0~0.3;共经过包括传统工艺步骤的12道工序和特定工艺条件后得到主晶相为α-SiC,具有气孔率的发热元件发热部。本发明制备的发热元件发热部主晶相为α-SiC,气孔率可调,游离硅含量<2%,性能均匀、稳定,远高于现有技,可制造各种不同规格、不同形状的发热部。

专利类型: 发明专利
申请(专利)号: CN200410026267.4
申请日期: 2004年6月24日
公开(公告)日: 2005年3月16日
公开(公告)号: CN1594214
主分类号: C04B35/563,C04B35/00,C,C04,C04B,C04B35
分类号: C04B35/563,C04B35/00,C,C04,C04B,C04B35
申请(专利权)人: 西安交通大学
发明(设计)人: 高积强,金志浩,乔冠军,王红洁,杨建锋
主申请人地址: 710049陕西省西安市咸宁路28号
专利代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
代理人: 张俊阁
国别省市代码: 陕西;61
主权项: 1、一种碳化硅发热元件发热部的制备工艺,包括配料、干燥、碾压、造粒、过筛、挤压、烘干、烧结工艺步骤,其特征在于:具体工艺步骤为:步骤1:将质量分数为0.3~0.9的碳化硅粉料、0.05~0.5的石油焦粉、0~0.2的石墨粉、0~0.1的活性炭粉、0~0.3的硅粉,在搅拌机或轮碾机上混合0.2~1小时;步骤2:在上述混合均匀的粉料中另外添加质量分数0.05~0.25的醇溶性酚醛树脂、有机增塑剂和乙醇,在轮碾机上碾压0.5~1.5小时;步骤3:将碾压料破碎成块状,常温放置或50~80℃温度下干燥处理;步骤4:将干燥处理的原料碾压破碎,过8~120目筛造粒,待用;步骤5:将待用原料加入质量分数0.01~0.20的水溶性酚醛树脂,混碾10~45分钟;步骤6:将混碾好的原料密封,放置6~24小时;步骤7:原料在螺旋挤压机或活塞挤压机上连续挤压出成形坯体,切割得到所需长度;步骤8:坯体在室温静置干燥24小时以上;步骤9:成形坯体放入烘窑中加热至150~200℃,保温1~3小时,随炉冷却至室温出窑,得到具有足够强度的碳化硅成形坯体;步骤10:坯体进行切割等后加工工序,达到产品尺寸要求;步骤11:坯体放入真空气氛烧结炉,周围填埋工业硅颗粒,升温至1450~1850℃,保温0.5~4小时烧结,随炉冷却;步骤12:在真空气氛烧结炉中1850~2300℃保温0.5~3小时二次烧结,得到主晶相为α-SiC,具有一定气孔率的发热元件发热部。
法律状态: 公开,实质审查的生效,授权,专利实施许可合同备案的生效、变更及注销,专利权的终止,专利权的终止