一种多层片状陶瓷电子元器件的制备方法

本发明公开了一种多层片状陶瓷电子元器件的制备方法,包括以下步骤:S01:原料制备;S02:制取生坯件;S03:生坯件烧结;S04:熟坯件精加工;S05:电极布线;S06:多层制备。本发明中,该多层片状陶瓷电子元器件的制备方法通过添加的陶瓷强化剂,可以在原料制备时,增大粉末原料之间的颗粒强度,获取极高强度的粉末原料,使得粉末原料在手续烧结的处理中,不会发生随意变形甚至破碎的现象,极大的增强了粉末原料的自身稳定性,进而提高了电子元器件制备的质量,并采用烧结盘旋转的烧结方式,使得生坯件的每一个部位都能够被完全的烧结成型,确保了生坯件烧结的效率,避免出现烧结不完全的现象。

专利类型: 发明专利
申请(专利)号: CN202010374983.0
申请日期: 2020年5月7日
公开(公告)日: 2020年8月14日
公开(公告)号: CN111540604A
主分类号: H01G4/12,H,H01,H01G,H01G4
分类号: H01G4/12,H01G4/30,C04B35/10,C04B35/622,C04B41/85,H,C,H01,C04,H01G,C04B,H01G4,C04B35,C04B41,H01G4/12,H01G4/30,C04B35/10,C04B35/622,C04B41/85
申请(专利权)人: 无锡太湖学院
发明(设计)人: 顾吉
主申请人地址: 214000 江苏省无锡市滨湖区钱荣路68号
专利代理机构: 合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人: 宋萍
国别省市代码: 江苏;32
主权项: 1.一种多层片状陶瓷电子元器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S01:原料制备,称取足量的氧化铝作为主料,并称取足量的混合添加剂作为辅料,将主料与辅料混合,获得粉末原料; S02:制取生坯件,将粉末原料投入到干压模具内,利用干压平板技术将粉末原料干压成片状的生坯件; S03:生坯件烧结,将生坯件平层单层摆放,并通过旋转的烧结盘将生坯件运输到烧结炉内进行烧结,获得熟坯件; S04:熟坯件精加工,将熟坯件固定在抛光设备上,利用由粗到细的抛光材料对熟坯件的表面进行逐级全面的抛光,获得光滑平整的熟坯件; S05:电极布线,采用层压方式将铜箔、耐热粘粘剂层、陶瓷、耐热粘粘剂层和铜箔进行热压成型,并经过烧结后获得双面覆铜箔陶瓷基层板,经过印刷电路板工艺后进行电极印刷; S06:多层制备,在双面覆铜箔陶瓷基层板上反复涂布绝缘层,并烧结、布线、烧结,获得多层片状陶瓷电子元器件成品。 2.根据权利要求1所述的一种多层片状陶瓷电子元器件的制备方法,其特征在于,所述步骤S01中,氧化铝的含量不少于95%,混合添加剂由粘粘剂、可塑剂、强化剂和分散剂组成,其中,粘粘剂、可塑剂、强化剂和分散剂的占比分别为30%、25%、20%和25%,强化剂采用陶瓷增强剂,可用来增强原料的强度。 3.根据权利要求1所述的一种多层片状陶瓷电子元器件的制备方法,其特征在于,所述步骤S02中,干压平板的压力为0.8kpa,干压平板的厚度小于0.3mm,并且在干压成片状生坯件之后,可以对生坯件进行打孔、定型等操作。 4.根据权利要求1所述的一种多层片状陶瓷电子元器件的制备方法,其特征在于,所述步骤S03中,烧结盘的旋转方向顺逆时针均可,旋转角速度为20rad/min,而烧结炉的烧结温度稳定控制在1200℃-1600℃之间。 5.根据权利要求1所述的一种多层片状陶瓷电子元器件的制备方法,其特征在于,所述步骤S04中,抛光材料为氧化铝粉末或金刚石砂膏,其颗粒直径小于1um。 6.根据权利要求1所述的一种多层片状陶瓷电子元器件的制备方法,其特征在于,所述步骤S05前还包括对熟坯件的强化处理,强化处理通过真空溅射渡膜的方式在熟坯件的表面渡上一层硅化合物膜,并在1300℃-1700℃的温度下进行热处理。 7.根据权利要求1所述的一种多层片状陶瓷电子元器件的制备方法,其特征在于,所述步骤S05中,在热压成型之前,需要将一面氧化的铜箔与氧化铝陶瓷基板进行热压成型,并通过激光处理后获得活化的表面,方便后续的热压成型。 8.根据权利要求1所述的一种多层片状陶瓷电子元器件的制备方法,其特征在于,所述步骤S06中,绝缘层的材料为氧化铝,可以根据电子元器件的层数多少选择涂布合适层数的绝缘层。
法律状态: 公开,公开