应用于MOS场效应管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜
成果信息
项目年度编号: 0600620304
限制使用: 国内
省市: 江苏
中图分类号: TN304.055 TN386
成果类别: 应用技术
成果公布年份: 2004
关键词: MOS场效应管 栅电介质材料 氮铝酸锆薄膜 高介电栅 脉冲激光沉积
成果简介: 该成果利用脉冲激光沉积技术,在1250℃温度下,把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混和后,再冷压成型为圆片,然后烧结6小时得铝酸锆陶瓷靶材,在生长室中引入氮气,使氮元素在薄膜中的原子百分比浓度为6%,氮原子的结合能是404.1eV,高氧化态,进而可得氮铝酸锆薄膜。该材料的性能指标已经达到国际上同行得到的高介电栅电介质材料研究的较高水平,同时也可满足功耗要求不高的半导体中场效管的实际应用要求。
申报信息
相关人信息
完成单位: 南京大学
行业及专利信息
应用行业名称: 专用化学产品制造
应用行业码: 266
转让信息
投资信息
推广信息
联系信息
联系单位名称: 南京大学
联系单位地址: 江苏省南京市汉口路22号
邮政编码: 210093