《半导体学报（英文版）》 2026年9期

目录/ 2026年9期

Low-noise InGaAs/InP single-photon diodes with 30%detection efficiency and 0.1 kcps dark count rate
Yield-aware optimization of memory gate length in split-gate SONOS:trade-off between erase efficiency and lithography process window
Three-dimensional spintronics:geometry-enabled spin transport and racetrack memory
Reconfigurable Schottky-barriers in 2D photodiodes via room-temperature Ozone treatment
Plasma-induced bond evolution enables low-temperature fabrication of dense SiNx barriers for high-reliability phase-change memory
Bias-selectable LWIR dual-band photodetector based on InAs/GaSb type-Ⅱ superlattice
Advanced baseband chip designs for B5G and 6G
Wavelength-extended Te-rich ZnSeTe quantum dots:progress,challenges,and perspectives
Research on the critical thickness of Al0.2Ga0.8N template grown on AlN/sapphire substrate
Pathways of advanced 3D integration based on two-dimensional materials

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上一期：2026年第8期

收录汇总

2026年
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