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YS/T 838-2012
- 2012年11月07日
- 现行
本标准规定了碲化镉的技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和安全提示。本标准对应的碲化镉是以5N碲和5N镉为原料以高温合成技术制成的，该产品主要用于红外以及可见光的发光装置材料等。
碲化镉化学酸钾有色金属有色冶金冶金
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GB/T 26066-2010
- 2011年01月10日
- 现行
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沽污造成的浅腐蚀坑的检测方法。本标准适用于检测＜<Ⅲ>或＜ <100>晶向的 p 型或 n 型抛光片或外延片，电阻率大于 0 . 001Ω· cm 。
硅晶体晶体(电子)耐腐蚀性检测
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YS/T 651-2007
- 2007年11月14日
- 现行
二氧化硒亚硒酐无水亚硒酸化学
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GB/T 24576-2009
- 2009年10月30日
- 现行
本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时， AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。
硅化学分析和试验半导体含量测定
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GB/T 24574-2009
- 2009年10月30日
- 现行
本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。本标准用于检测单晶硅中含量为1×lO at•cm ～5×10 at•cm 的各种电活性杂质元素。
硅化学分析和试验杂质晶体半导体
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GB/T 4061-2009
- 2009年10月30日
- 现行
本标准规定了以三氯氢硅和四氯氢硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯氢硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。
硅腐蚀试验晶体半导体检验
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GB/T 6618-2009
- 2009年10月30日
- 现行
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。 本标准适用于符合GB／T 12964、GB／T 12965、GB／T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。
半导体半导体材料硅晶体厚度厚度测量
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GB/T 12964-2018
- 2018年09月17日
- 现行
本标准规定了硅单晶拋光片（简称硅抛光片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同）内容。
本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200 mm的硅单晶拋光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等，或作为硅外延片的衬底。
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GB/T 24577-2009
- 2009年10月30日
- 现行
1.1本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法，采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。1.2本标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。1.3本标准的检测限范围取决于被检测的有机化合物，比如碳氢化合物(C～C)的检测范围就是10 g/cm～10g/cm。 1.4本标准适用于硅抛光片和有氧化层的硅片。1.5本标准中包含了两种方法。方法A适用于切割后的硅片，方法B则适用于完整的硅片。两种方法的不同点在第7部分中有详细描述。
硅化学分析和试验半导体污染物含量测定
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GB/T 19922-2005
- 2005年09月19日
- 现行
本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。 本标准适用于无接触、非破坏性地测量干燥、洁净的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100mm及以上、厚度250μm及以上的腐蚀、抛光及外延硅片。
半导体半导体材料测量硅试验
